[发明专利]接触插塞及其制造方法

摘要

一种方法包括形成晶体管，其中，形成晶体管包括在半导体区上方形成伪栅极堆叠件，以及形成第一层间电介质。伪栅极堆叠件位于第一ILD中，并且第一ILD覆盖半导体区中的源极/漏极区。该方法还包括去除伪栅极堆叠件以在第一ILD中形成沟槽，在沟槽中形成低k栅极间隔件，形成延伸到沟槽中的替换栅极电介质，形成金属层以填充沟槽，以及实施平坦化以去除替换栅极电介质和金属层的多余部分，以分别形成栅极电介质和金属栅极。然后在金属栅极的相对侧上形成源极区和漏极区。本发明实施例涉及接触插塞及其制造方法。

主权项

1.一种形成半导体器件的方法，包括：形成晶体管，包括：在伪栅极的侧部上形成源极/漏极区；形成覆盖所述源极/漏极区的第一层间电介质(ILD)；去除所述伪栅极以在所述第一层间电介质中形成沟槽；形成延伸到所述沟槽中的栅极介电层；在所述栅极介电层上方形成金属材料；以及实施平坦化以去除所述栅极介电层和所述金属材料的多余部分，以分别形成栅极电介质和金属栅极；在所述第一层间电介质和所述金属栅极上方形成第二层间电介质，其中，在形成所述第二层间电介质时，所述金属栅极的顶面和所述第一层间电介质的顶面与上面的同一介电层的底面接触；形成电连接至所述源极/漏极区的源极/漏极接触插塞，其中，所述源极/漏极接触插塞穿过所述第一层间电介质和所述第二层间电介质；以及在所述金属栅极上方形成与所述金属栅极接触的栅极接触插塞。