[发明专利]一种减少IPM模块注塑溢料的方法和DBC基板在审
| 申请号： | 201711208806.X | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN107978530A | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 叶娜;王豹子;谢龙飞;李萍 | 申请（专利权）人： | 西安中车永电电气有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/492 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710016 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种减少IPM模块注塑溢料的方法和DBC基板，该方法改变DBC基板上孤岛设计，使DBC基板在注塑工艺中受力平衡；并且，在DBC基板背面的DBC背面铜层设计“楔形”台面结构，形成注塑料在DBC基板背面流速的缓冲台，在DBC基板不平情况下，减小注塑料向DBC基板背面外溢的溢料。本发明通过改变DBC设计思路，来减少溢料的方法来替代激光去毛刺工艺，提高生产效率，降低生产成本与工艺投入。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 ipm 模块 注塑 方法 dbc 基板 | ||
【主权项】：
一种减少IPM模块注塑溢料的方法，其特征在于，改变DBC基板(1)上孤岛设计，使DBC基板(1)在注塑工艺中受力平衡；并且，在DBC基板(1)背面的DBC背面铜层(7)设计“楔形”台面结构(10)，形成注塑料在DBC基板(1)背面流速的缓冲台，在DBC基板(1)不平情况下，减小注塑料向DBC基板(1)背面外溢的溢料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
