[发明专利]一种基于n长基区碳化硅晶闸管及其制作方法有效
| 申请号： | 201711209284.5 | 申请日： | 2017-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN108039367B | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 蒲红斌;刘青;王曦;李佳琪 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/16;H01L21/332 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 谈耀文 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开的一种基于n长基区碳化硅晶闸管，包括自下而上依次设置的阳极欧姆电极、碳化硅p |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 长基区 碳化硅 晶闸管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于n长基区碳化硅晶闸管，其特征在于，包括自下而上依次设置的阳极欧姆电极(1)、碳化硅p+ 发射区外延层(2)、碳化硅n+ 缓冲层(3)、碳化硅n型长基区外延层(4)、碳化硅p- 短基区外延层(5)、碳化硅n+ 发射区外延层(6)，所述碳化硅n+ 发射区外延层(6)与碳化硅p- 短基区外延层(5)形成台面；所述碳化硅n+ 发射区外延层(6)上覆盖有阴极欧姆电极(7)；所述碳化硅p- 短基区外延层(5)上部镶嵌有两个碳化硅p+ 区(8)，并且两个所述碳化硅p+ 区(8)分别位于碳化硅n+ 发射区外延层(6)末端之外；每个所述碳化硅p+ 区(8)上覆盖有门极欧姆电极(9)，所述门极欧姆电极(9)与碳化硅n+ 发射区外延层(6)设置有隔离层(10)，所述隔离层(10)厚度等于碳化硅n+ 发射区外延层(6)与阴极欧姆电极(7)的厚度之和。
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