[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201711210104.5 | 申请日： | 2017-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109841594B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 殷原梓 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底上具有介质层；第一开口，所述第一开口位于所述部分厚度的介质层内；第二开口，所述第二开口位于所述第一开口底部部分厚度的介质层内，且，所述第二开口的宽度小于所述第一开口的宽度。所述第一开口和所述第二开口分别用于形成顶部连接层和中间连接层，所形成的顶部连接层和中间连接层用于构成焊垫；以达到减小所形成的顶部连接层和中间连接层厚度的目的，从而减小所构成焊垫与所述介质层之间应力的大小，进而提高形成焊垫的良率和可靠性，提高所形成半导体结构的制造良率和器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底上具有介质层；第一开口，所述第一开口位于所述部分厚度的介质层内；第二开口，所述第二开口位于所述第一开口底部部分厚度的介质层内，且，所述第二开口的宽度小于所述第一开口的宽度。
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