[发明专利]一种焰熔法数控晶体生长炉在审
申请号: | 201711211207.3 | 申请日: | 2017-11-28 |
公开(公告)号: | CN107829133A | 公开(公告)日: | 2018-03-23 |
发明(设计)人: | 毕孝国;周文平;唐坚;刘旭东;孙旭东 | 申请(专利权)人: | 沈阳工程学院 |
主分类号: | C30B11/10 | 分类号: | C30B11/10;C30B29/16;C30B29/32 |
代理公司: | 沈阳铭扬联创知识产权代理事务所(普通合伙)21241 | 代理人: | 屈芳 |
地址: | 110136 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于新材料领域,为一种焰熔法数控晶体生长炉,包括晶体生长系统,包括晶体生长炉、穿入晶体生长炉内,用于作为晶体生长的载体的晶体生长基座杆,通过电机带动传动丝杠传递至晶体晶体生长基座杆做上下运动的升降速度控制机构;原料供应系统,包括锥形原料仓,在所述原料仓内设置筛网,所述原料仓的进料口安装有筛网振动机构;燃料供应系统,通过管线连接至生长室;数字控制系统,向升降速度控制机构、筛网振动振幅控制机构、筛网振动频率控制机构以及进气系统发出控制信号,并用于设置控制参数。本发明能够生长出微观结构完整的高品质的高温下特别是熔体状态下具有分解倾向的高温氧化物单晶体,如钛酸锶、金红石等单晶体。 | ||
搜索关键词: | 一种 焰熔法 数控 晶体生长 | ||
【主权项】:
一种焰熔法数控晶体生长炉,其特征在于,该生长炉包括:晶体生长系统,包括晶体生长炉、穿入晶体生长炉内,用于作为晶体生长的载体的晶体生长基座杆,通过电机带动传动丝杠传递至晶体晶体生长基座杆做上下运动的升降速度控制机构;原料供应系统,包括锥形原料仓,在所述原料仓内设置筛网,所述原料仓的进料口安装有筛网振动机构;燃料供应系统,通过管线连接至生长室;数字控制系统,向升降速度控制机构、筛网振动振幅控制机构、筛网振动频率控制机构以及进气系统发出控制信号,并用于设置控制参数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳工程学院,未经沈阳工程学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711211207.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于手机的图形用户界面
- 下一篇:用于手机的图形用户界面