[发明专利]集成电路以及用于形成集成电路的系统和方法在审
申请号: | 201711212714.9 | 申请日: | 2017-11-28 |
公开(公告)号: | CN108183086A | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
发明(设计)人: | 杨荣展;江庭玮;高章瑞;庄惠中;鲁立忠;田丽钧;沈孟弘;谢尚志;卢麒友 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/535;H01L27/02 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 集成电路结构包括栅极结构组、第一导电结构、第一组通孔和第二组通孔,以及第一组导电结构。该栅极结构组位于第一层级处。第一导电结构在第一方向上延伸,与该栅极结构组重叠并且位于第二层级处。第一组通孔位于栅极结构组和第一导电结构之间。第一组通孔将该栅极结构组连接至第一导电结构。第一组导电结构在第二方向上延伸,与第一导电结构重叠并且位于第三层级处。第二组通孔将第一组导电结构连接至第一导电结构,并且位于第一组导电结构和第一导电结构之间。 | ||
搜索关键词: | 导电结构 栅极结构 通孔 层级 集成电路 导电结构连接 集成电路结构 组连接 延伸 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路结构,包括:栅极结构组,位于第一层级处,所述栅极结构组中的每个栅极在第一方向上彼此分离,并且在与所述第一方向不同的第二方向上延伸;第一导电结构,在所述第一方向上延伸,与所述栅极结构组重叠并且位于第二层级处;第一组通孔,位于所述栅极结构组和所述第一导电结构之间,所述第一组通孔中的每个通孔位于所述第一导电结构与所述栅极组中的每个栅极重叠的位置处,所述第一通孔组将所述栅极结构组连接至所述第一导电结构;第一组导电结构,在所述第二方向上延伸,与所述第一导电结构重叠,位于第三层级处,所述第一组导电结构中的每个导电结构在所述第一方向上彼此分离并且定位于所述栅极结构组中的一对栅极之间;以及第二组通孔,位于所述第一组导电结构和所述第一导电结构之间,所述第二组通孔中的每个通孔位于所述第一组导电结构与所述第一导电结构重叠的位置处,并且所述第二组通孔将所述第一组导电结构连接至所述第一导电结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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