[发明专利]一种同质外延生长氮化镓的方法、氮化镓材料及应用有效
| 申请号： | 201711212927.1 | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN109841497B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 徐俞;王建峰;徐科 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;中国科学院大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/00;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王茹;王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种同质外延生长氮化镓的方法,其包括：提供氮化镓衬底；在所述衬底上转移或直接生长作为插入层的单层石墨烯；同质外延生长氮化镓。本发明以单层石墨烯为插入层同质外延生长氮化镓，可以获得大尺寸同质外延氮化镓单晶材料，并且生长的氮化镓容易实现机械剥离，剥离后的衬底可以反复使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 同质 外延 生长 氮化 方法 材料 应用 | ||
【主权项】：
1.一种同质外延生长氮化镓的方法，其特征在于包括：提供氮化镓衬底；在所述氮化镓衬底上设置作为插入层的单层石墨烯；在载有所述单层石墨烯的衬底上同质外延生长氮化镓材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
