[发明专利]一种Al-Sb-Ge相变材料、相变存储器单元及其制备方法在审
| 申请号： | 201711213604.4 | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN108110135A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 薛媛;宋三年;郭天琪;宋志棠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种Al‑Sb‑Ge相变材料、相变存储器单元及其制备方法，所述Al‑Sb‑Ge相变材料包括铝、锑、锗三种元素，其化学式为AlxSbyGez，其中，15≤x≤25，50≤y≤60，20≤z≤35，且x+y+z＝100。该相变材料可通过磁控溅射的方法进行制备，通过调节溅射靶材的电流功率来调节Al‑Sb‑Ge系列体系中的三种元素的含量，得到不同结晶温度、电阻率和结晶激活能的存储材料。本发明所述的Al‑Sb‑Ge相变薄膜材料，与传统的Ge2Sb2Te5相比，具有更好的热稳定性，更强的数据保持力，更快的结晶速度；本发明提供的相变存储材料的制备方法，工艺简单，便于精确控制材料成分；本发明提供相变存储材料应用到相变存储器中，使得相变存储器具有数据保持力强、擦写速度快，电学性能稳定等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 相变材料 制备 相变存储器单元 相变存储材料 数据保持力 相变存储器 相变薄膜材料 磁控溅射 存储材料 电流功率 电学性能 溅射靶材 控制材料 热稳定性 传统的 电阻率 激活能 擦写 应用 | ||
【主权项】：
1.一种Al-Sb-Ge相变材料，其特征在于，所述Al-Sb-Ge相变材料包括铝、锑、锗三种元素，所述Al-Sb-Ge相变材料的化学式为Alx Sby Gez ，其中，15≤x≤25，50≤y≤60，20≤z≤35，且x+y+z＝100。
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