[发明专利]ZrNiSn基高熵热电材料及其制备方法与热电器件在审

专利信息
申请号: 201711213691.3 申请日: 2017-11-28
公开(公告)号: CN108048725A 公开(公告)日: 2018-05-18
发明(设计)人: 刘福生;龚波;敖伟琴;李均钦;张朝华 申请(专利权)人: 深圳大学
主分类号: C22C30/04 分类号: C22C30/04;C22F1/16;C22C1/02
代理公司: 深圳中一专利商标事务所 44237 代理人: 左光明
地址: 518000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种ZrNiSn基高熵热电材料及其制备方法和应用。本发明ZrNiSn基高熵热电材料,其化学式为Zr1‑xMxNi1‑yCoySn1‑zSbz,x=0.2~0.8,y=0~0.2,z=0~0.3,所述M包括V、Nb、Hf、Ti、Sc、Y、Ta、Mo元素中任意4‑5种元素。其制备方法包括按照ZrNiSn基高熵热电材料所含元素的化学计量比称取各纯金属原料,并进行熔炼处理和退火处理及放电等离子体烧结步骤。本发明ZrNiSn基高熵热电材料具有低的晶格热导率。所述ZrNiSn基高熵热电材料的制备方法工艺条件易控,保证了制备的ZrNiSn基高熵热电材料微观形貌和物化性能稳定,而且制备的效率高,降低了生产成本。
搜索关键词: zrnisn 基高熵 热电 材料 及其 制备 方法 热电器件
【主权项】:
1.一种ZrNiSn基高熵热电材料,其特征在于:所述ZrNiSn基高熵热电材料化学式为Zr1-xMxNi1-yCoySn1-zSbz;其中,所述x=0.2~0.8,y=0~0.2,z=0~0.3,所述M包括V、Nb、Hf、Ti、Sc、Y、Ta、Mo元素中任意4-5种元素。
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