[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201711214100.4 | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN108231893B | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 张世杰;李承翰;沙哈吉·B·摩尔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;张福根 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体装置的制造方法，包括：形成第一鳍状物与第二鳍状物于基板上；沉积隔离材料包围第一鳍状物与第二鳍状物；形成栅极结构沿第一鳍状物与第二鳍状物的侧壁与上表面上；使栅极结构外部的第一鳍状物与第二鳍状物形成凹陷，以形成第一鳍状物中的第一凹陷与第二鳍状物中的第二凹陷；外延生长第一源极/漏极材料，自第一凹陷与第二凹陷凸出；以及外延生长第二源极/漏极材料于第一源极/漏极材料上，其中第二源极/漏极材料生长于第一源极/漏极材料的相对端的最外表面上的速率较生长于第一源极/漏极材料的相对端之间的第一源极/漏极材料的表面上的速率慢，以及其中第二源极/漏极材料相对于第一源极/漏极材料具有较高的掺杂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括：形成一第一鳍状物与一第二鳍状物于一基板上，该第二鳍状物邻近该第一鳍状物；沉积一隔离材料包围该第一鳍状物与该第二鳍状物，该隔离材料的一第一部分位于该第一鳍状物与该第二鳍状物之间，该第一鳍状物与该第二鳍状物的上部延伸于该隔离材料的一上表面上；形成一栅极结构沿该第一鳍状物与该第二鳍状物的侧壁与上表面上；使该栅极结构外部的该第一鳍状物与该第二鳍状物形成凹陷，以形成该第一鳍状物中的一第一凹陷与该第二鳍状物中的一第二凹陷；外延生长一第一源极/漏极材料，自该第一鳍状物的该第一凹陷凸出，以及自该第二鳍状物的该第二凹陷凸出；以及外延生长一第二源极/漏极材料于该第一源极/漏极材料上，其中该第二源极/漏极材料生长于该第一源极/漏极材料的相对端的最外表面上的速率较生长于该第一源极/漏极材料的相对端之间的该第一源极/漏极材料的表面上的速率慢，以及其中该第二源极/漏极材料相对于该第一源极/漏极材料具有较高的掺杂浓度。
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