[发明专利]一种单晶硅棒切方工艺

摘要

本发明涉及一种单晶硅棒切方工艺，包括下列步骤：选取长度在220～500mm之间，直径在153～160mm之间的单晶硅圆棒并用粘胶垂直粘接在切方机的晶托上；将切方机的晶托和单晶硅圆棒放置在切方机加磁工作台上，编号记录，加磁固定晶托和单晶硅圆棒；校准定位台，设定加工切割参数，开动切方机进行带砂切割；将切割后的半成品脱胶、去除边皮并分离晶托；检验上述经过脱胶并分离晶托处理后的半成品是否合格。本发明切割效果良好，合格率大幅度提高，极大地提高了机器的工作效率；导向轮间距经过修正后，即使切割中带砂不够，也能保证整个尺寸控制在公差值以内。

主权项

1.一种单晶硅棒切方工艺，其特征在于：单晶硅棒切方工艺包括如下步骤：(1)选取长度在220～500mm之间，直径在153～160mm之间的单晶硅圆棒，将单晶硅圆棒用粘胶垂直粘接在切方机的晶托上并在常温下冷却，粘胶温度为380～420℃，单晶硅圆棒的垂直偏差角度在±1.5度以内；(2)将切方机的晶托和单晶硅圆棒放置在切方机加磁工作台上，编号记录，加磁固定晶托和单晶硅圆棒；(3)校准连接定位台，将导向轮间距修正为124.7mm；开动切方机进行带砂切割，其中，砂浆密度为1.70～1.82g/cm3；砂浆温度为24.5～25.5℃；砂浆流量为110L/min～130L/min；新线放给量为30m/min；切割平均速度为580～620m/min；切割速度530um/min(4)将上述切割后的半成品转移到30～35℃温水中放置10～15min后，再放入58～62℃的热水中进行脱胶，去除边皮并分离晶托；(5)检验上述经过脱胶并分离晶托处理后的半成品，边长公差在±0.1mm以内，垂直偏差度在90°±1.5以内。