[发明专利]一种钼掺杂改性的锰酸锂复合材料、其制备方法及锂离子电池在审
申请号: | 201711214440.7 | 申请日: | 2017-11-28 |
公开(公告)号: | CN107994220A | 公开(公告)日: | 2018-05-04 |
发明(设计)人: | 何苗;冯叶锋;王成民 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/505;H01M4/62;H01M10/0525 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 赵青朵 |
地址: | 510006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种钼掺杂改性的锰酸锂复合材料,为表面包覆有碳的钼掺杂改性的锰酸锂,所述钼掺杂改性的锰酸锂具有式I所示化学式LiMn2‑xMoxO4式I;其中,0.01≤x≤0.1;碳的质量分数为0.1~20%;LiMn2‑xMoxO4的质量分数为80~99.9%。本发明采用钼对锰酸锂进行掺杂,能够有效抑制尖晶石结构LiMn2O4的Jahn‑Teller效应和锰的溶解,从而提高循环稳定性和高温性能。本发明还提供了一种钼掺杂改性的锰酸锂复合材料的制备方法,该方法工艺简单,成本低,环境友好,适用于大规模工业生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 掺杂 改性 锰酸锂 复合材料 制备 方法 锂离子电池 | ||
【主权项】:
一种钼掺杂改性的锰酸锂复合材料,为表面包覆有碳的钼掺杂改性的锰酸锂,所述钼掺杂改性的锰酸锂具有式I所示化学式:LiMn2‑xMoxO4 式I;其中,0.01≤x≤0.1;碳的质量分数为0.1~20%;LiMn2‑xMoxO4的质量分数为80~99.9%。
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