[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

制造非易失性存储器半导体器件的方法，包括在半导体衬底的非易失性存储器单元区上形成多个存储器单元，并且在多个存储器单元上方形成导电层。在多个存储器单元上方形成具有小于约1.2厘泊的粘度的平坦化材料的第一平坦化层。对第一平坦化层和导电层实施平坦化操作，从而去除第一平坦化层的上部区域和导电层的上部区域。完全地去除存储器单元之间的导电层的下部区域的部分。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。

主权项

1.一种制造非易失性存储器半导体器件的方法，包括：在半导体衬底的非易失性存储器单元区上形成多个存储器单元；在所述多个存储器单元上方形成导电层；在所述多个存储器单元上方形成具有小于1.2厘泊的粘度的平坦化材料的第一平坦化层；对所述第一平坦化层和所述导电层实施平坦化操作，从而去除所述第一平坦化层的上部区域和所述导电层的上部区域；以及完全地去除所述存储器单元之间的所述导电层的下部区域的部分。