[发明专利]一种砷化镓晶圆的光刻工艺

摘要

本发明公开了一种砷化镓晶圆的光刻工艺，于待蚀刻砷化镓晶圆表面先沉积一层氮化硅层，再于氮化硅层上形成正光阻层，对正光阻层曝光、显影形成蚀刻窗口之后，对蚀刻窗口之内的氮化硅进行干法蚀刻至裸露砷化镓表面，然后对蚀刻窗口之内的砷化镓进行湿法蚀刻，剥离光阻后通过干法蚀刻去除余下的氮化硅。本发明在砷化镓晶圆表面先镀上一层氮化硅后再涂布正光阻，氮化硅与砷化镓和正光阻均具有较好的结合力，以氮化硅作为粘结层提高了光阻和砷化镓表面之间的粘附力，从而避免了因粘附力不够出现的侧蚀不良等问题，提高了产品的良率。

主权项

1.一种砷化镓晶圆的光刻工艺，其特征在于包括以下步骤：1)于砷化镓晶圆表面沉积氮化硅层，氮化硅层的厚度为30～80nm；2)于氮化硅层上涂布正光阻，并通过曝光、显影形成蚀刻窗口；3)对蚀刻窗口之内的氮化硅进行干法蚀刻至裸露砷化镓表面，所述干法蚀刻的蚀刻气体为SF6；4)对蚀刻窗口之内的砷化镓进行湿法蚀刻，所述湿法蚀刻的蚀刻液为H3PO4+H2O2；5)剥离光阻；6)通过干法蚀刻去除余下的氮化硅，所述干法蚀刻的蚀刻气体为SF6。