[发明专利]光阻图案的形成方法以及刻蚀工艺、曝光设备在审
| 申请号： | 201711215944.0 | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN107942619A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 龚成波 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/00 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人： | 孙伟峰,黄进 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光阻图案的形成方法，其包括在基板上涂布形成光阻层；在所述光阻层上设置光掩膜，从所述光掩膜上对所述光阻层进行第一曝光工艺，在所述光阻层中形成具有第一曝光深度的图案化的曝光图形；从所述光阻层上进行整面曝光的第二曝光工艺，在所述光阻层中形成具有第二曝光深度的曝光层；通过显影工艺去除所述曝光图形和所述曝光层，获得光阻图案；其中，所述第二曝光深度小于所述第一曝光深度。本发明还提供了一种曝光设备，用于对光阻层进行曝光工艺，所述曝光设备包括传送机构、第一曝光装置和第二曝光装置，所述第一曝光装置用于执行第一曝光工艺，所述第二曝光装置用于执行第二曝光工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 形成 方法 以及 刻蚀 工艺 曝光 设备 | ||
【主权项】：
一种光阻图案的形成方法，其特征在于，包括：在基板上涂布形成光阻层；在所述光阻层上设置光掩膜，从所述光掩膜上对所述光阻层进行第一曝光工艺，在所述光阻层中形成具有第一曝光深度的图案化的曝光图形；从所述光阻层上进行整面曝光的第二曝光工艺，在所述光阻层中形成具有第二曝光深度的曝光层；通过显影工艺去除所述曝光图形和所述曝光层，获得光阻图案；其中，所述第二曝光工艺的曝光能量小于所述第一曝光工艺的曝光能量，以使所述第二曝光深度小于所述第一曝光深度。
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