[发明专利]发光二极管结构有效
| 申请号： | 201711217086.3 | 申请日： | 2013-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN108054270B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 黄冠杰;庄东霖 | 申请（专利权）人： | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 罗英;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管结构，包括一永久基板、一第一图案化金属层、一第二图案化金属层以及一半导体磊晶层。永久基板具有一接合面。第一图案化金属层配置在永久基板的接合面上且暴露出部分接合面。第二图案化金属层对应配置在第一图案化金属层上。第二图案化金属层暴露出第一图案化金属层所暴露出的接合面。第二图案化金属层与第一图案化金属层的接触面形成共晶结合。半导体磊晶层配置在第二图案化金属层上。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管结构，其特征在于，包括：一基板，具有一接合面；一第一图案化金属层，包括一第一金属块阵列，配置在该基板的该接合面上，其中该第一图案化金属层暴露出部分该接合面；一发光二极管，包括一第一型半导体层、一第二型半导体层、一发光层、一第一电极及第二电极，该发光层位于该第一型半导体层与该第二型半导体层之间，该第一电极与该第一型半导体层电性连接，该第二电极与该第二型半导体层电性连接；以及一第二图案化金属层，包括一第二金属块阵列，配置在该第二型半导体层上，并暴露出部分该第二型半导体层，其中该第二金属块阵列包括一第一部分及一第二部分，该第二金属块阵列的该第一部分及该第二部分分别与该第一电极及该第二电极对应设置，其中该第二金属块阵列对应设置在该第一金属块阵列上，且该第二金属块阵列与该第一金属块阵列的接触面形成共晶结合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新世纪光电股份有限公司，未经新世纪光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711217086.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
