[发明专利]一种大功率LED双层结构封装工艺在审

专利信息
申请号: 201711217506.8 申请日: 2017-11-28
公开(公告)号: CN107994107A 公开(公告)日: 2018-05-04
发明(设计)人: 尹晓雪 申请(专利权)人: 西安科锐盛创新科技有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/64;H01L33/54;H01L33/58
代理公司: 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230 代理人: 刘长春
地址: 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种大功率LED双层结构封装工艺,包括以下步骤a、制备封装散热基板,将LED灯芯焊接在所述封装散热基板上,在封装散热基板上涂覆第一硅胶层;b、在第一硅胶层上形成若干第一半球形凹槽;c、在所述第一半球形凹槽内涂覆第一透镜硅胶并延伸至第一半球形凹槽外,形成第一球形透镜;d、在所述第一球形透镜上部涂覆第二硅胶层,在所述第二硅胶层上涂覆第三硅胶层;e、在第三硅胶层上形成若干第二半球形凹槽;f、在所述第二半球形凹槽内涂覆第二透镜硅胶并延伸至第二半球形凹槽外,形成第二球形透镜;g、在所述第二球形透镜上部涂覆第四硅胶层;本发明的大功率LED双层结构封装工艺,不需要进行二次整形,工艺简单,成本低。
搜索关键词: 一种 大功率 led 双层 结构 封装 工艺
【主权项】:
一种大功率LED双层结构封装工艺,其特征在于,包括以下步骤:a、制备封装散热基板,将LED灯芯焊接在所述封装散热基板上,在封装散热基板上涂覆第一硅胶层;b、在所述第一硅胶层上形成若干第一半球形凹槽;c、在所述第一半球形凹槽内涂覆第一透镜硅胶并延伸至第一半球形凹槽外,形成第一球形透镜;d、在所述第一球形透镜上部涂覆第二硅胶层,在所述第二硅胶层上涂覆第三硅胶层;e、在所述第三硅胶层上形成若干第二半球形凹槽;f、在所述第二半球形凹槽内涂覆第二透镜硅胶并延伸至第二半球形凹槽外,形成第二球形透镜;g、在所述第二球形透镜上部涂覆第四硅胶层;其中,所述第二硅胶层、所述第三硅胶层、所述第四硅胶层中至少一层具有荧光粉,所述LED灯芯为紫外灯芯。
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