[发明专利]一种无损转移自支撑低维材料的方法有效
申请号: | 201711218714.X | 申请日: | 2017-11-28 |
公开(公告)号: | CN109841549B | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | 邰凯平;赵洋;靳群;康斯清;姜辛 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人: | 张志伟 |
地址: | 110016 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及低维功能材料科学和材料测试分析技术研究领域,具体为一种针对箔材、薄膜、二维材料等进行精确定位、裁剪、无损转移自支撑低维材料的方法。由于大部分需要进行转移操作的自支撑低维材料,其厚度在几纳米到几百微米不等,面内尺寸多在毫米至微米量级,取样加工过程中和转移过程中极易损坏,且其比重极小,易受外界环境(如:气流、静电等)的影响较大而难以准确控制定位。该方法引入了飞秒激光裁剪、微重力和静电引入以及显微定位等技术手段,可以有效解决以上问题,尤其针对需要把材料转移到微小易损器件上,该方法可以得到完美的应用,极大的拓展对自支撑低维功能材料的研究应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 无损 转移 支撑 材料 方法 | ||
【主权项】:
1.一种无损转移自支撑低维材料的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:(1)利用范德华力将沉积在基底上的低维材料转移到镂空的刚性支撑薄片上;(2)利用飞秒激光精细加工装置对低维材料进行裁剪加工成所需形状;(3)利用显微定位装置将经过裁剪的材料转移到载体上方;(4)利用激光切割样品,使其与刚性支撑薄片脱离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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