[发明专利]用于ESD防护的可控硅整流器

摘要

本发明提供一种用于ESD防护的可控硅整流器，包括：p型衬底、nwell区、横跨nwell区与pwell区交界处的低触发区，设置在nwell区表面的至少一个N+P+区单元，设置在所述pwell区表面的至少一个P+N+区单元，任意一个N+P+区单元中的N+区与P+区相切，相邻的两个N+P+区单元相切；低触发区的一侧相切于至少一个N+P+区单元中最右侧的P+区的右侧，或者相切于至少一个P+N+区单元中最左侧的N+区的左侧，且低触发区不同时相切于所述N+P+区单元和所述P+N+区单元，本发明提出的一种ESD用SCR阴极优化结构对于实现电流能力最大化，抗Latch‑up效应有着明显的优势。

主权项

一种用于ESD防护的可控硅整流器，其特征在于：所述可控硅整流器包括P型衬底、设置在P型衬底上的nwell区和与所述nwell区右边缘相切的pwell区、横跨所述nwell区与所述pwell区交界处的低触发区，设置在所述nwell区表面的至少一个N+P+区单元，以及设置在所述pwell区表面的至少一个P+N+区单元，设置在所述至少一个N+P+区单元上的阳极和设置在所述至少一个P+N+区单元上的阴极；所述至少一个N+P+区单元中最左侧N+区的左侧与所述nwell区的左侧边缘相切，任意一个所述N+P+区单元中的N+区与P+区相切，相邻的两个所述N+P+区单元相切；所述至少一个P+N+区单元中最右侧P+区的右侧与所述pwell区的右侧边缘相切，任意一个所述P+N+区单元中的P+区与N+区相切，相邻的两所述P+N+区单元相切；所述低触发区的一侧相切于所述至少一个N+P+区单元中最右侧的P+区的右侧，或者所述低触发区的一侧相切于所述至少一个P+N+区单元中最左侧的N+区的左侧，且所述低触发区不同时相切于所述至少一个N+P+区单元和所述至少一个P+N+区单元。