[发明专利]半导体装置结构及其形成方法

摘要

提供半导体装置结构及其形成方法。此半导体装置结构包括基板。此基板包括第一半导体层、第二半导体层及位于第一半导体层及第二半导体层之间的一绝缘层。此半导体装置结构亦包括栅极堆叠，位于基板之上。此半导体装置结构更包括多个源极及漏极结构，位于基板的第二半导体层中。此些源极及漏极结构位于栅极堆叠的两侧。此外，此半导体装置结构包括第一隔离结构，位于基板中。此第一隔离结构包括绝缘材料且环绕源极及漏极结构。此半导体装置结构亦包括第二隔离结构，位于第一隔离结构中。此第二隔离结构包括金属材料且环绕源极及漏极结构。

主权项

1.一种半导体装置结构，包括：一基板，该基板包括一第一半导体层、一第二半导体层及位于该第一半导体层及该第二半导体层之间的一绝缘层；一栅极堆叠，位于该基板之上；多个源极及漏极结构，位于该基板的该第二半导体层之中，其中该些源极及漏极结构位于该栅极堆叠的两侧；一第一隔离结构，位于该基板中，其中该第一隔离结构包括一绝缘材料且环绕该些源极及漏极结构；以及一第二隔离结构，位于该第一隔离结构中，其中该第二隔离结构包括一金属材料且环绕该些源极及漏极结构。