[发明专利]焊盘结晶缺陷的去除方法在审
| 申请号： | 201711220973.6 | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108054079A | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 杨小燕;林爱梅;张磊;许向辉;陈昊瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种焊盘结晶缺陷的去除方法，步骤1、利用PVD机台获得惰性气体等离子体；步骤2、利用所述惰性气体等离子体轰击晶圆表面；步骤3、惰性气体等离子体对焊盘中的正常铝表面和结晶缺陷同时产生溅射作用，使焊盘不断减薄；当焊盘减薄量超过结晶缺陷的厚度后，结晶缺陷被彻底去除。本发明简单易实现，低成本，效果好。 | ||
| 搜索关键词： | 盘结 缺陷 去除 方法 | ||
【主权项】：
1.一种焊盘结晶缺陷的去除方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、利用PVD机台获得惰性气体等离子体；步骤2、利用所述惰性气体等离子体轰击晶圆表面；步骤3、惰性气体等离子体对焊盘中的正常铝表面和焊盘结晶缺陷同时产生溅射作用，使焊盘不断减薄；当焊盘减薄量超过焊盘结晶缺陷的厚度后，焊盘结晶缺陷被彻底去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
