[发明专利]一种仿生光读出非制冷红外焦平面及其制备方法在审
申请号: | 201711221074.8 | 申请日: | 2017-11-29 |
公开(公告)号: | CN107946406A | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 高阳 | 申请(专利权)人: | 新乡市百合光电有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/101 |
代理公司: | 新乡市平原智汇知识产权代理事务所(普通合伙)41139 | 代理人: | 林海 |
地址: | 453003 河南省*** | 国省代码: | 河南;41 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种仿生光读出非制冷红外焦平面及其制备方法,属于非制冷红外焦平面探测器领域技术领域。本发明借鉴Morpho蝴蝶翅膀微纳结构与红外辐射相互作用,产生可见光变化的波长转换特性,将其应用于光读出非制冷红外成像焦平面阵列的研究。采用光刻工艺、ICP‑RIE刻蚀工艺、镀膜工艺、选择性侧向腐蚀工艺和PDMS微纳结构复制工艺相结合的MEMS工艺来制备仿蝴蝶翅膀鳞片的复杂三维微纳结构;本发明开发出可行的具有高光学灵敏度光读出非制冷红外成像焦平面探测像元阵列,将为下一代红外成像技术中红外探测单元微纳结构的开发提技术基础。 | ||
搜索关键词: | 一种 生光 读出 制冷 红外 平面 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种仿生光读出非制冷红外焦平面及其制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:用光刻技术在(111)单晶硅片上加工出微米尺度的光栅条纹,其中光栅条纹要平行于{110}晶面,从而使得ICP‑Bosch工艺刻蚀后光栅侧壁是{110}晶面;步骤2:采用ICP‑Bosch工艺在硅基底上刻蚀出微米尺度的{110}晶面侧壁带纳尺度波纹结构的光栅条纹,对刻蚀后的样品采用APM (SC‑1)方法(配方:NH4OH/H2O2 /H2O=1:1:5,温度为80℃)以去除光刻胶和ICP‑Bosch工艺刻蚀后产生的碳氟化合物;步骤3:样品表面倾斜一定角度,采用电子束蒸发工艺沉积一层Cr作为湿法腐蚀的掩膜,由于样品表面倾斜一定角度,使得蒸发运动物质的垂直运动方向和光栅侧壁表面面有一定的角度,从而可以使{110}晶面侧壁波纹的底部覆盖一层Cr;步骤4:利用单晶硅各向异性腐蚀的特点,采用湿法腐蚀工艺,用KOH溶液腐蚀出分层微纳结构;步骤5:用稀硫酸去掉金属Cr,烘干,制备出硅基仿蝴蝶鳞片分层微纳结构;步骤6:以硅基微纳结构为模具,结合单壁碳纳米管掺杂PDMS微纳成型工艺制备出仿蝴蝶翅膀鳞片的复杂三维微纳结构以提高对红外辐射探测敏感性,即得所述新型仿生非制冷红外焦平面探测器像元。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新乡市百合光电有限公司,未经新乡市百合光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711221074.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的