[发明专利]一种高效太阳电池结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201711221499.9 | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN107994081A | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 朱秋华 | 申请（专利权）人： | 朱秋华 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/18;H01L51/44 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司11659 | 代理人： | 徐鹏飞 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高效太阳电池结构及其制备方法，其中，高效太阳电池结构包括衬底、底电极、陷光层、光吸收层、减反层和顶电极，并依次叠加，形成叠层结构；所述减反层用于增加太阳电池的光透过率，所述减反层包括多孔二氧化硅、氮化硅、二氧化钛、氧化锆或者氟化镁中的任意一种；所述陷光层用于增加入射光在太阳电池内部的光程，所述陷光层包括金字塔结构或者凹坑阵列中的任意一种。本发明通过在太阳电池结构中设置减反层和陷光层，增加了光利用率，进而提高了太阳电池效率，解决了现有技术中光利用率较低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高效 太阳电池 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高效太阳电池结构，其特征在于，包括：衬底、底电极、陷光层、光吸收层、减反层和顶电极，并依次叠加，形成叠层结构；所述减反层用于增加太阳电池的光透过率，所述减反层包括多孔二氧化硅、氮化硅、二氧化钛、氧化锆或者氟化镁中的任意一种；所述陷光层用于增加入射光在太阳电池内部的光程，所述陷光层包括金字塔结构或者凹坑阵列中的任意一种。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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