[发明专利]一种提升碳化硅高能离子注入厚掩膜陡直性的方法在审
| 申请号： | 201711222270.7 | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109841505A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 王弋宇;吴佳;周正东;张文杰;刘东;杨程;史晶晶;李诚瞻;吴煜东 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;方莉 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提升碳化硅高能离子注入厚掩膜陡直性的方法，其包括如下步骤：S1，清洗碳化硅材料表面；S2，在碳化硅材料表面沉积足以阻挡高能高温离子注入的第一层离子注入厚掩膜；S3，在第一层离子注入厚掩膜表面匀光刻胶，采用光刻显影技术显影出选择性离子注入区域窗口；S4，从选择性离子注入区域窗口对第一层离子注入厚掩膜进行刻蚀直至碳化硅材料表面；S5，去除光刻胶；S6，沉积第二层离子注入薄掩膜；S7，对第二层离子注入薄掩膜进行整面刻蚀，得到侧壁光滑、陡直的离子注入厚掩膜。本发明可以显著提升离子注入厚掩膜的陡直性，并简化离子注入掩膜制备工艺和去除工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 掩膜 离子 碳化硅材料 第一层 陡直性 选择性离子注入 高能离子 碳化硅 去除 离子注入掩膜 表面沉积 高温离子 光刻显影 掩膜表面 制备工艺 光刻胶 侧壁 沉积 光滑 刻蚀 面刻 显影 匀光 清洗 阻挡 | ||
【主权项】：
1.一种提升碳化硅高能离子注入厚掩膜陡直性的方法，其包括如下步骤：S1，清洗碳化硅材料表面；S2，在碳化硅材料表面沉积足以阻挡高能高温离子注入的第一层离子注入厚掩膜；S3，在第一层离子注入厚掩膜表面匀光刻胶，采用光刻显影技术显影出选择性离子注入区域窗口；S4，从选择性离子注入区域窗口对第一层离子注入厚掩膜进行刻蚀直至碳化硅材料表面；S5，去除光刻胶；S6，在经步骤S4刻蚀后露出的碳化硅材料表面以及第一层离子注入厚掩膜的表面和侧壁沉积第二层离子注入薄掩膜；S7，对第二层离子注入薄掩膜进行整面刻蚀，使得第二层离子注入薄掩膜只在第一层离子注入厚掩膜侧壁上保留侧墙，得到侧壁光滑、陡直的离子注入厚掩膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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