[发明专利]一种MnWO4纳米板光敏场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201711223018.8 | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108198896B | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 刘宝丹;张兴来;姜亚南;刘鲁生;杨文进;李晶;姜辛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | H01L31/113 | 分类号： | H01L31/113;H01L31/032;H01L31/18;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明属于无机半导体纳米材料技术和器件应用领域，特别是指一种MnWO4纳米板光敏场效应晶体管及其制造方法。本发明MnWO4纳米板光敏场效应晶体管，自下至上依次包括栅极金属电极、Si衬底、SiO2绝缘层，SiO2绝缘层上设置单根MnWO4纳米板、源极金属电极和漏极金属电极，源极金属电极和漏极金属电极分别覆盖在单根MnWO4纳米板的两端，且形成欧姆接触。本发明通过利用微弧氧化方法，生长大面积、高产量和结晶质量优异的MnWO4纳米板，进而利用其制备背栅结构的MnWO4纳米板光敏场效应晶体管。本发明的方法工艺简单、成本低、可大规模生长高结晶质量的MnWO4纳米板材料，便于产业化推广。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米板 场效应晶体管 光敏 漏极金属电极 源极金属电极 单根 纳米材料技术 栅极金属电极 无机半导体 背栅结构 欧姆接触 器件应用 微弧氧化 生长 产业化 高结晶 衬底 制备 制造 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种MnWO4纳米板光敏场效应晶体管，其特征在于，自下至上依次包括栅极金属电极、Si衬底、SiO2绝缘层，SiO2绝缘层上设置单根MnWO4纳米板、源极金属电极和漏极金属电极，源极金属电极和漏极金属电极分别覆盖在单根MnWO4纳米板的两端，且形成欧姆接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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