[发明专利]一种减少单晶高温合金截面突变处杂晶形成的方法在审
| 申请号： | 201711223372.0 | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108080603A | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 杨院生;冯小辉;李应举;罗天骄;韩小伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | B22D27/02 | 分类号： | B22D27/02;C30B30/02;C30B29/52 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及金属材料凝固控制领域，具体为一种减少单晶高温合金截面突变处杂晶形成的方法。在单晶高温合金定向生长过程中，截面突变处由于散热较快容易形成局部过冷而形成杂晶。该方法是在单晶高温合金铸件定向凝固过程中施加直流电流，利用固/液相之间以及不同温度熔体之间的电阻率差异，使电流在截面突变处的边部形成偏聚，因而在温度较低部位产生更多的焦耳热，减轻或消除截面突变处的局部过冷，从而降低或消除杂晶形核和生长倾向。本发明通过在单晶高温合金生长过程中施加直流电流减少截面突变处杂晶的生成，获得取向一致性好，组织均匀致密的单晶组织，解决目前在铸造单晶高温合金结构件时截面突变处极易形成杂晶的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 截面突变处 单晶高温合金 直流电流 过冷 定向凝固过程 施加 电阻率差异 金属材料 单晶组织 定向生长 均匀致密 生长过程 一致性好 固/液相 焦耳热 结构件 散热 边部 晶形 偏聚 取向 熔体 铸件 凝固 铸造 生长 | ||
【主权项】：
1.一种减少单晶高温合金截面突变处杂晶形成的方法，其特征在于，通过在单晶高温合金铸件定向凝固过程中施加直流电流，消除其截面突变处的杂晶，获得组织完整性良好的单晶高温合金铸件；将单晶高温合金母合金熔体注入经预热的模壳或模具，模壳或模具固定于水冷盘上，在下拉装置的带动下缓慢下移，实现定向凝固，在此过程中施加直流电流以控制截面突变处的局部温度场，直至整个铸件完全凝固，最终制得截面突变处无杂晶或少杂晶的单晶高温合金铸件。
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