[发明专利]一种高功率半导体激光器散热方法在审
| 申请号： | 201711223505.4 | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109842015A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 泰瑞科微电子（淮安）有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 211700 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高功率半导体激光器散热方法，本发明将用基于结构函数法的热阻仪测量SiC和AlN封装F‑mount器件的热阻值,得到SiC器件的总热阻约为3.0℃/W,AlN约为3.4℃/W,SiC器件的实测热阻值比AlN器件小14.7%。 | ||
| 搜索关键词： | 高功率半导体激光器 散热 结构函数 热阻仪 总热阻 实测 封装 测量 | ||
【主权项】：
1.一种高功率半导体激光器散热方法，将用基于结构函数法的热阻仪测量SiC和AlN封装F‑mount器件的热阻值,得到SiC器件的总热阻约为3.0℃/W,AlN约为3.4℃/W,SiC器件的实测热阻值比AlN器件小14.7%。
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