[发明专利]H桥电路中功率半导体开关的驱动方法

摘要

本发明提供一种H桥电路中功率半导体开关的驱动方法，该方法包括：计算出输出电压的零电平的起始时刻和停止时刻，并根据零电平的起始时刻和停止时刻确定零电平区段；在零电平区段，驱动第一桥臂的上功率半导体开关和第二桥臂的上功率半导体开关同时导通，或，驱动第一桥臂的下功率半导体开关和第二桥臂的下功率半导体开关同时导通。本发明提供的H桥电路中功率半导体开关的驱动方法，能够使H桥电路中的功率半导体开关损耗相近，提高了H桥电路的使用寿命，同时有利于多电平变换器内部热设计的一致性，降低了多电平变换器所采用的散热器的成本和体积，进而降低了多电平变换器的成本和体积。

主权项

1.一种H桥电路中功率半导体开关的驱动方法，其特征在于，所述H桥电路包括第一桥臂、第二桥臂和母线电容，所述第一桥臂和所述第二桥臂均与所述母线电容并联连接，其中，所述第一桥臂和所述第二桥臂均包含上功率半导体开关和下功率半导体开关，所述第一桥臂的上功率半导体开关和下功率半导体开关的连接点与所述第二桥臂的上功率半导体开关和下功率半导体开关的连接点之间产生输出电压；所述驱动方法包括：计算出所述输出电压的零电平的起始时刻和停止时刻，并根据所述零电平的所述起始时刻和所述停止时刻确定零电平区段；在所述零电平区段，驱动所述第一桥臂的上功率半导体开关和所述第二桥臂的上功率半导体开关同时导通，或，驱动所述第一桥臂的下功率半导体开关和所述第二桥臂的下功率半导体开关同时导通；其中，第一预设时长内和第二预设时长内均包含至少一个所述零电平区段，在所述第一预设时长内的所述零电平区段，所述第一桥臂的上功率半导体开关和所述第二桥臂的上功率半导体开关与所述第一桥臂的下功率半导体开关和所述第二桥臂的下功率半导体开关以第一导通逻辑顺序导通；在所述第二预设时长内的所述零电平区段，所述第一桥臂的上功率半导体开关和所述第二桥臂的上功率半导体开关与所述第一桥臂的下功率半导体开关和所述第二桥臂的下功率半导体开关以第二导通逻辑顺序导通。