[发明专利]一种半导体器件的高功率微波应用在审
| 申请号： | 201711224427.X | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109856520A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 泰瑞科微电子（淮安）有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 211700 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的高功率微波应用，本发明小功率时为非线性检波、非线性变频和非线性压缩效应，大功率时为非线性损伤效应；非线性检波、非线性变频是高频HPM能量转换成低频能量对低频电子系统发生干扰、扰乱效应的主要机制，获得了非线性检波/变频电压随HPM功率增大而增大但增长速率变慢的效应规律，得出检波/变频电压与微波功率的经验公式，获得了检波效率随带外微波频率增大而减小的效应规律；非线性压缩效应是微波器件HPM干扰效应的主要机制。 | ||
| 搜索关键词： | 检波 半导体器件 非线性变频 非线性压缩 高功率微波 变频电压 能量转换 非线性损伤 低频电子 低频能量 干扰效应 功率增大 经验公式 微波功率 微波频率 微波器件 系统发生 小功率 减小 应用 扰乱 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的高功率微波应用，将小功率时为非线性检波、非线性变频和非线性压缩效应，大功率时为非线性损伤效应；非线性检波、非线性变频是高频HPM能量转换成低频能量对低频电子系统发生干扰、扰乱效应的主要机制，获得了非线性检波/变频电压随HPM功率增大而增大但增长速率变慢的效应规律，得出检波/变频电压与微波功率的经验公式，获得了检波效率随带外微波频率增大而减小的效应规律；非线性压缩效应是微波器件HPM干扰效应的主要机制。
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