[发明专利]TiCoSb基高熵热电材料及其制备方法与热电器件在审
申请号: | 201711224568.1 | 申请日: | 2017-11-28 |
公开(公告)号: | CN108091755A | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
发明(设计)人: | 刘福生;王晓;敖伟琴;李均钦;张朝华 | 申请(专利权)人: | 深圳大学 |
主分类号: | H01L35/12 | 分类号: | H01L35/12;H01L35/18;H01L35/34 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 左光明 |
地址: | 518000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种TiCoSb基高熵热电材料及其制备方法和应用。本发明TiCoSb基高熵热电材料,其化学式为Ti1‑xMxCo1‑yNiySb1‑zSnz;x=0.2~0.8,y=0~0.2,z=0~0.3,所述M包括V、Nb、Hf、Zr、Sc、Y、Ta、Mo元素中任意4‑5种元素。其制备方法包括按照TiCoSb基高熵热电材料所含元素的化学计量比称取各纯金属原料,并进行熔炼处理和退火处理及放电等离子体烧结步骤。本发明TiCoSb基高熵热电材料具有低的晶格热导率。所述TiCoSb基高熵热电材料的制备方法工艺条件易控,保证了制备的TiCoSb基高熵热电材料微观形貌和物化性能稳定,而且制备的效率高,降低了生产成本。 | ||
搜索关键词: | 热电材料 高熵 制备 放电等离子体烧结 制备方法和应用 制备方法工艺 化学计量比 晶格热导率 热电器件 退火处理 微观形貌 物化性能 纯金属 熔炼 称取 生产成本 保证 | ||
【主权项】:
1.一种TiCoSb基高熵热电材料,其特征在于:所述TiCoSb基高熵热电材料化学式为Ti1-x Mx Co1-y Niy Sb1-z Snz ;其中,所述x=0.2~0.8,y=0~0.2,z=0~0.3,所述M包括V、Nb、Hf、Zr、Sc、Y、Ta、Mo元素中任意4-5种元素。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳大学,未经深圳大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711224568.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高亮度发光二极管制作的微型手电
- 下一篇:热电转换元件及其制造方法