[发明专利]一种掺钬氟化钆钡晶体及其生长方法在审
| 申请号： | 201711224627.5 | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109837588A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 曾繁明;王新宇;李春;林海;刘丽娜;周艳艳;刘景和 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B11/00;H01S3/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 掺钬氟化钆钡晶体及其生长方法属于光电子材料技术领域。随着科学技术高速发展，激光领域对激光晶体材料的性能提出了更高的要求。本发明之掺钬氟化钆钡属于单斜晶系，以钬离子为激活离子，氟化钆钡为晶体基质，分子式为Ho:BaGd2F8。本发明之掺钬氟化钆钡的生长方法包括生长料制备，晶体生长以及退火三个步骤。生长料制备过程中，提供氟、钆、钡元素的原料摩尔比为BaF2:GdF3＝1:2，确定HoF3为x摩尔，GdF3为(2‑x)摩尔，BaF2为1摩尔，其中x的取值范围为0.005mol≦x≦0.8mol；在晶体生长步骤中，采用真空坩埚下降法，工艺参数为0.35～0.85mm/h，旋转速度3.5～10rpm，生长温度880～905℃。 | ||
| 搜索关键词： | 氟化钆 生长 激光晶体材料 晶体生长步骤 退火 光电子材料 原料摩尔比 坩埚下降法 单斜晶系 高速发展 激光领域 激活离子 晶体基质 晶体生长 三个步骤 制备过程 钡元素 钬离子 制备 | ||
【主权项】：
1.一种掺钬氟化钆钡晶体的制备方法，该方法使用的是真空坩埚下降法，其特征在于，包括步骤：生长料制备、晶体生长以及退火三个步骤，其特征在于，生长料制备步骤中，提供F、Gd、Ba元素的原料及摩尔比为BaF2:GdF3＝1:2，确定HoF3为x摩尔，GdF3为(2‑x)摩尔，BaF2为1摩尔，其中x的取值范围为0.005mol≦x≦0.8mol；在晶体生长过程中，工艺参数为0.35～0.85mm/h，旋转速度3.5～10rpm，生长温度880～905℃。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长春理工大学，未经长春理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711224627.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
