[发明专利]影像感测器装置在审
申请号: | 201711224959.3 | 申请日: | 2017-11-29 |
公开(公告)号: | CN109427831A | 公开(公告)日: | 2019-03-05 |
发明(设计)人: | 林昆辉;黄胤杰;郑允玮;朱益兴;李承远;周俊豪 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 聂慧荃;郑特强 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明实施例涉及一种影像感测器装置,影像感测器装置包括半导体基板、隔离结构、反射栅、第一滤色器及第二滤色器。半导体基板具有第一感光区及第二感光区,第二感光区邻近第一感光区;隔离结构位于半导体基板中且围绕第一感光区及第二感光区,其中隔离结构隔开第一感光区及第二感光区;反射栅位于隔离结构上且围绕第一感光区及第二感光区,其中反射栅的第一部分位于第一感光区及第二感光区间,且第一部分具有第一沟槽;第一滤色器位于第一感光区上且延伸进入第一沟槽中;第二滤色器位于第二感光区上且延伸进入第一沟槽中,以在第一沟槽中直接接触第一滤色器。 | ||
搜索关键词: | 感光区 滤色器 隔离结构 影像感测器装置 半导体基板 反射栅 延伸 感光 隔开 邻近 | ||
【主权项】:
1.一种影像感测器装置,包括:一半导体基板,具有一第一感光区及一第二感光区,该第二感光区邻近该第一感光区;一隔离结构,位于该半导体基板中且围绕该第一感光区及该第二感光区,其中该隔离结构隔开该第一感光区及该第二感光区;一反射栅,位于该隔离结构上且围绕该第一感光区及该第二感光区,其中该反射栅的一第一部分位于该第一感光区及该第二感光区间,且该第一部分具有一第一沟槽;一第一滤色器,位于该第一感光区上且延伸进入该第一沟槽中;以及一第二滤色器,位于该第二感光区上且延伸进入该第一沟槽中,以在该第一沟槽中直接接触该第一滤色器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的