[发明专利]一种半导体材料放大光纤在审
| 申请号： | 201711225066.0 | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109842011A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 泰瑞科微电子（淮安）有限公司 |
| 主分类号： | H01S3/067 | 分类号： | H01S3/067 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 211700 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体材料放大光纤，本发明纳米半导体薄膜内包层光纤结构,考虑半导体材料能带结构特性,实现新型结构光纤,并采用改进的化学气相沉积法,在相应实验设备条件下制备出50m纳米半导体薄膜包层光纤；通过对光纤掺杂半导体材料的特性分析,从纳米材料的制备、光纤拉制的过程等方面,探讨并制成了掺纳米半导体InP材料放大光纤通过等离子发射光谱仪和扫描电镜,对制备出的新型结构光纤进行掺杂浓度测试和微观结构观察；由测试系统得到制备光纤的光放大增益曲线和超连续谱,获得光纤的放大增益。 | ||
| 搜索关键词： | 光纤 半导体材料 制备 放大光纤 纳米半导体薄膜 等离子发射光谱仪 掺杂半导体材料 化学气相沉积 微观结构观察 纳米半导体 内包层光纤 包层光纤 测试系统 超连续谱 放大增益 光纤拉制 纳米材料 能带结构 浓度测试 扫描电镜 实验设备 特性分析 增益曲线 光放大 掺杂 改进 | ||
【主权项】：
1.一种半导体材料放大光纤，本发明纳米半导体薄膜内包层光纤结构,考虑半导体材料能带结构特性,实现新型结构光纤,并采用改进的化学气相沉积法,在相应实验设备条件下制备出50m纳米半导体薄膜包层光纤；通过对光纤掺杂半导体材料的特性分析,从纳米材料的制备、光纤拉制的过程等方面,探讨并制成了掺纳米半导体InP材料放大光纤通过等离子发射光谱仪和扫描电镜,对制备出的新型结构光纤进行掺杂浓度测试和微观结构观察；由测试系统得到制备光纤的光放大增益曲线和超连续谱,获得光纤的放大增益。
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