[发明专利]中介层的制造方法有效
| 申请号： | 201711225182.2 | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108231569B | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 铃木克彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 于靖帅;乔婉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供中介层的制造方法，能够提高使用了玻璃基板的中介层的耐热性。一种中介层的制造方法，从材料基板制造出多个中介层，该材料基板具有玻璃基板和层叠体，其中，该玻璃基板被呈格子状设定的多条分割预定线划分成多个区域，该层叠体层叠在该玻璃基板的第1面或与该第1面相反的一侧的第2面上，并且该层叠体包含绝缘层和配线层，该中介层的制造方法的特征在于，包含如下的工序：切削槽形成工序，使第1切削刀具沿着分割预定线切入层叠体的露出面，在层叠体中形成未到达玻璃基板的深度的切削槽；以及分割工序，使宽度比切削槽窄的第2切削刀具沿着切削槽切入玻璃基板，对玻璃基板进行分割而制造出多个中介层。 | ||
| 搜索关键词： | 中介 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种中介层的制造方法，从材料基板制造出多个中介层，该材料基板具有玻璃基板和层叠体，其中，该玻璃基板被呈格子状设定的多条分割预定线划分成多个区域，该层叠体层叠在该玻璃基板的第1面或与该第1面相反的一侧的第2面上，并且该层叠体包含绝缘层和配线层，该中介层的制造方法的特征在于，包含如下的工序：切削槽形成工序，使第1切削刀具沿着该分割预定线切入该层叠体的露出面，在该层叠体中形成未到达该玻璃基板的深度的切削槽；以及分割工序，使宽度比该切削槽窄的第2切削刀具沿着该切削槽切入该玻璃基板，对该玻璃基板进行分割而制造出多个中介层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
