[发明专利]一种缓解MLC闪存写干扰问题的方法有效
| 申请号： | 201711225524.0 | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108154900B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 许毅;姚兰;郑春阳 | 申请（专利权）人： | 深圳忆联信息系统有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G06F3/06 |
| 代理公司： | 广东广和律师事务所 44298 | 代理人： | 董红海 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了缓解MLC闪存写干扰问题的方法,其特征在于在写入FLASH一个字线wordline的LSB数据时,将LSB数据同时缓存在固态硬盘的缓冲区,在写入同一个字线wordline的MSB时先执行将硬盘缓存区中存储的LSB数据再次写入该字线的LSB区域,再执行将MSB数据写入MSB区域。通过在SSD的缓存中增加保存LSB数据，在写MSB数据前再次复写LSB数据，可更正闪存中可能已经被干扰的LSB数据，保证整个wordline上数据的正确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 缓解 mlc 闪存 干扰 问题 方法 | ||
【主权项】：
一种缓解MLC闪存写干扰问题的方法,存储单元由多个字线wordline组成,每个wordline分为:最低有效位LSB和最高有效位MSB，单个wordline的编程必须先编程wordline的所有LSB，然后再编程wordline的整个MSB，其特征在于在写入FLASH一个字线wordline的LSB数据时,将LSB数据同时缓存在固态硬盘的缓冲区,在写入同一个字线wordline的MSB时先执行将硬盘缓存区中存储的LSB数据再次写入该字线的LSB区域,再执行将MSB数据写入MSB区域。
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