[发明专利]一种高真空环境下介质材料表面电位主动控制方法有效

专利信息
申请号: 201711228450.6 申请日: 2017-11-29
公开(公告)号: CN107979910B 公开(公告)日: 2020-06-05
发明(设计)人: 原青云;陈龙威;张希军;孙永卫;任兆杏;代银松 申请(专利权)人: 中国人民解放军陆军工程大学
主分类号: H05H1/46 分类号: H05H1/46;B64G1/52
代理公司: 北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙) 11548 代理人: 李静
地址: 050003 *** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明公开了一种高真空环境下介质材料表面电位主动控制的方法,消电过程是在高真空环境下进行,放电过程包括使用微波电源对磁控管供电产生2.45GHz电磁波,电磁波以TEM模式通过同轴波导馈送,并通过微波传输系统馈入微波同轴天线,微波同轴天线下端位于等离子体源体的等离子体室内,微波同轴天线在等离子体室内完成放电,并借助于等离子体源体在真空室内完成消电过程;在高真空环境下,通过微波同轴天线在等离子体室内击穿工作气体,形成等离子体,位于等离子体室内的环形永磁钢用于产生强度为0.0875特斯拉磁场,在磁场作用下形成高密度的电子回旋共振等离子体,通过等离子体调节板扩散至待处理工件环境,实现介质表面电荷的主动调节。
搜索关键词: 一种 真空 环境 介质 材料 表面 电位 主动 控制 方法
【主权项】:
一种高真空环境下介质材料表面电位主动控制的方法,其特征在于:所述方法包括放电过程和消电过程;所述放电过程具体如下:通过微波电源系统对微波系统供电产生2.45GHz电磁波,电磁波以TEM模式通过同轴波导馈送,并通过微波传输系统馈入微波同轴天线,微波同轴天线下端位于等离子体源体的等离子体室内,等离子体源体位于真空度为10‑4Pa以下的真空室内,微波同轴天线在等离子体室内完成放电过程,并借助于等离子体源体在真空室内完成消电过程;所述消电过程具体如下:通过微波同轴天线在等离子体室内放电,并击穿工作气体形成等离子体,工作气体利用供气系统通过胶管和供气管送入等离子体室内,等离子体体源体内设置环形磁钢,环形磁钢在等离子体放电区形成强度为0.0875特斯拉的磁场位型,等离子体在垂直磁场的平面上受洛伦兹力作用而做回旋运动,在磁场强度为0.0875特斯拉的位置,电子回旋频率和沿磁场传播的右旋圆极化微波频率都等于2.45GHz,电子共振吸收微波的能量大于气体粒子的电离能、分子离解能后产生碰撞电离、分子离解和粒子激活,等离子体放电并获得活性反应粒子,形成电子回旋共振等离子体,通过等离子体中所包含的电子和离子与介质板上的正电荷以及电子相中和。
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