[发明专利]一种双反射式飞行时间质谱光电子速度成像仪在审

专利信息
申请号: 201711229002.8 申请日: 2017-11-29
公开(公告)号: CN107727730A 公开(公告)日: 2018-02-23
发明(设计)人: 唐紫超;王永天;施再发;张将乐;刘方刚;王可 申请(专利权)人: 厦门大学
主分类号: G01N27/62 分类号: G01N27/62;G01T1/29;G01T1/36
代理公司: 厦门南强之路专利事务所(普通合伙)35200 代理人: 马应森
地址: 361005 *** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种双反射式飞行时间质谱光电子速度成像仪,设有激光溅射离子源、冷却离子阱、飞行时间质谱和负离子光电子速度成像系统;激光溅射离子源用于生成团簇离子,产生的团簇离子进入冷却离子阱囚禁冷却后被加速场垂直加速进入飞行时间质谱,负离子光电子速度成像系统对出射光电子进行探测,得中性团簇电子结构的光电子能谱。利用激光溅射离子源生成团簇离子,产生的团簇离子进入线性离子阱囚禁冷却后被加速场垂直加速进入飞行时间质谱,通过质谱探测获得产生团簇离子的强度分布。分析质谱后,选择特定团簇负离子,与脱附激光相互作用,产生中性分子和光电子。利用负离子光电子速度成像系统对出射光电子进行探测,得中性团簇电子结构的光电子能谱。
搜索关键词: 一种 反射 飞行 时间 光电子 速度 成像
【主权项】:
一种双反射式飞行时间质谱光电子速度成像仪,其特征在于设有激光溅射离子源、冷却离子阱、飞行时间质谱和负离子光电子速度成像系统;激光溅射离子源用于生成团簇离子,产生的团簇离子进入冷却离子阱囚禁冷却后被加速场垂直加速进入飞行时间质谱,所述负离子光电子速度成像系统对出射光电子进行探测,得到中性团簇电子结构的光电子能谱。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门大学,未经厦门大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711229002.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top