[发明专利]一种太阳能电池背面刻蚀工艺

摘要

本发明公开了一种太阳能电池背面刻蚀工艺，工艺步骤包括保护水膜制作、背面氧化层去除、背面抛光刻蚀、纯水漂洗、碱洗、纯水漂洗、酸洗、纯水漂洗和吹干后臭氧钝化。该太阳能电池背面刻蚀工艺，通过水膜保护PN结避免了刻蚀液气相腐蚀，使工艺稳定性更好，采用的刻蚀液配比增加了电池片背面的反射率，使电池片背面二次吸收太阳光能力加强从而提升电池片短路电流，减少了背面多空硅的产生，从而提升了电池片开路电压和填充因子，从而达到提高电池片转化效率。

主权项

1.一种太阳能电池背面刻蚀工艺，包括保护水膜制作、背面氧化层去除、背面抛光刻蚀、纯水漂洗、碱洗、纯水漂洗、酸洗、纯水漂洗和吹干后臭氧钝化工艺流程，其特征在于：工艺步骤如下：S1、保护水膜制作：使用喷水水刀对扩散后硅片表面制作一层保护水膜，水量控制在1000ml-3000ml，水膜厚度1mm-3mm；S2、背面氧化层去除：通过带液滚轮对硅片背面的氧化层进行去除，带液滚轮使用PVDF材质，溶液使用5%-10%氢氟酸溶液，利用氢氟酸对二氧化硅的腐蚀性去除背面氧化层；S3、背面抛光刻蚀：背面刻蚀液的制作，使用氢氟酸和硝酸溶液进行刻蚀液的制作，其中硝酸配比占总体积80%-95%，氢氟酸配比占总体积5%-20%，刻蚀温度2度-6度；S4、纯水漂洗：使用17.8兆欧以上纯水对硅片进行清洗，去背面残留酸液；S5、碱洗：用低浓度碱溶液对硅片进行清洗，去除背面多孔硅，所使用的碱溶液为氢氧化钾或氢氧化钠溶液，碱浓度控制在1.5%-5%；S6、纯水漂洗：使用17.8兆欧以上纯水对硅片进行清洗，去表面残留碱液；S7、酸洗：用混酸对硅片进行清洗，去除硅片表面的金属残留和氧化薄层，所用混酸为氢氟酸与盐酸的混合液，氢氟酸浓度5%-20%，盐酸浓度5%-10%；S8、纯水漂洗：使用17.8兆欧以上纯水对硅片进行清洗，去背面残留酸液；S9、吹干后臭氧钝化:用压缩空气对硅片表面进行吹干，使用臭氧发生器产生臭氧对硅片表面进行氧化处理。