[发明专利]一种衰减结构及测试系统有效
| 申请号： | 201711229323.8 | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108011163B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 王典 | 申请（专利权）人： | 加特兰微电子科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/22 | 分类号： | H01P1/22;G01R29/08 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 201210 上海市浦东新区自由贸易试验区盛夏*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种衰减结构和测试系统，该衰减结构包括顶层金属、底层金属、以及位于顶层金属和底层金属之间的介质层，在介质层中设置有多个通道限制过孔，该多个通道限制过孔连续设置构成至少两条折线，并在所有相邻的两条折线之间形成连续的信号传输通道，且顶层金属和底层金属通过该通道限制过孔连接在一起构成封闭的结构和波导通路，此外，介质层还配置有位于信号传输通道拐角处的反射抑制过孔，以降低信号传输通道拐角处的信号反射。本发明实施例提供的衰减结构和测试系统，能够简化设计结构，降低了衰减结构的成本，以及回波反射信号，并且不引入额外的信号干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 衰减 结构 测试 系统 | ||
【主权项】：
1.一种衰减结构，其特征在于，包括：顶层金属、底层金属、以及位于所述顶层金属和底层金属之间的介质层；所述介质层包括多个通道限制过孔，所述多个通道限制过孔连续设置构成至少两条折线，在所有相邻的两条所述折线之间形成连续的信号传输通道，所述通道限制过孔还用于连接所述顶层金属和所述底层金属，以形成封闭结构，并构成波导通路；所述介质层还包括反射抑制过孔，所述反射抑制过孔位于折线形所述信号传输通道的拐角处，用于降低所述信号传输通道拐角处的信号反射。
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