[发明专利]形成半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201711229436.8 | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109427683B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 蔡宗裔;陈燕铭;陈殿豪;蔡瀚霆;李宗霖;何嘉政;林铭祥 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭示内容公开了一种形成半导体装置的方法。方法包括提供具有基板和在基板之上的硬罩幕层的装置；形成心轴于硬罩幕层之上；沉积材料层于心轴的多个侧壁上；植入掺杂剂到材料层中；使用心轴和材料层作为蚀刻罩幕来执行蚀刻制程于硬罩幕层上，从而形成图案化硬罩幕层，其中蚀刻制程同时产生沉积于图案化硬罩幕层的多个侧壁上的介电层，介电层含有掺杂剂；以及通过使用图案化硬罩幕层和介电层共同作为蚀刻罩幕蚀刻基板来形成鳍片。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体装置的方法，其特征在于，包括：提供具有一基板和在该基板之上的一硬罩幕层的一装置；形成一心轴于该硬罩幕层之上；沉积一材料层于该心轴的多个侧壁上；植入一掺杂剂到该材料层中；使用该心轴和该材料层共同作为一蚀刻罩幕来执行一蚀刻制程于该硬罩幕层上，从而形成一图案化硬罩幕层，其中该蚀刻制程同时产生沉积于该图案化硬罩幕层的多个侧壁上的一介电层，该介电层含有该掺杂剂；以及通过使用该图案化硬罩幕层和该介电层共同作为一蚀刻罩幕蚀刻该基板来形成一鳍片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
