[发明专利]等离子运行状态实时监控方法、晶圆监测件和监控系统在审

专利信息
申请号: 201711230315.5 申请日: 2017-11-29
公开(公告)号: CN109839388A 公开(公告)日: 2019-06-04
发明(设计)人: 刘季霖;吴狄 申请(专利权)人: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
主分类号: G01N21/95 分类号: G01N21/95
代理公司: 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 代理人: 朱成之
地址: 201201 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了等离子运行状态实时监控方法、晶圆监测件和监控系统,该方法包含:步骤1,在晶圆监测基体上设置反应物涂层制备晶圆监测件;步骤2,将晶圆监测件与第n批待等离子处理晶圆产品置于等离子反应腔中,反应物涂层面朝向待监测的等离子体;步骤3,开启等离子体反应腔,生成等离子体,按等离子处理晶圆产品同样的工艺条件进行等离子处理;步骤4,将经等离子处理后的第n批晶圆监测件与标准等离子运行状态的等离子体处理的晶圆监测件或第m批等离子体处理的晶圆监测件进行比较,判断等离子工作是否正常,m、n取自然数,且m<n。本发明的实时监控方法,不影响晶圆产品的生产,能大幅降低晶圆的报废率,监测成本低,操作方法简便。
搜索关键词: 晶圆监测 等离子处理 晶圆产品 实时监控 运行状态 等离子 等离子体 等离子体处理 监控系统 反应物 等离子体反应腔 等离子反应腔 标准等离子 工艺条件 涂层制备 报废率 涂层面 监测 晶圆 生产
【主权项】:
1.一种等离子运行状态实时监控方法,其特征在于,该监控方法包含:步骤1,在晶圆监测基体上设置反应物涂层制备晶圆监测件;步骤2,将晶圆监测件与第n批待等离子处理晶圆产品一起置于等离子反应腔中,反应物涂层面朝向待监测的等离子体;步骤3,开启等离子体反应腔,生成等离子体,按等离子处理晶圆产品同样的工艺条件进行等离子处理;步骤4,将经等离子处理后的第n批晶圆监测件与标准等离子运行状态的等离子体处理的晶圆监测件或第m批等离子体处理的晶圆监测件进行比较,从而判断等离子工作是否正常,其中,n、m均取自然数,且m<n。
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