[发明专利]图像传感器及形成图像传感器的方法

摘要

本公开涉及一种形成图像传感器的方法和图像传感器。该方法包括在半导体衬底中形成第四隔离区；在半导体衬底上通过外延生长形成第一半导体材料层，并通过第四隔离区的扩散形成第三隔离区；在第一半导体材料层中形成第一隔离区，第一隔离区位于第三隔离区之上；在第一半导体材料层上通过外延生长形成第二半导体材料层；以及在第二半导体材料层中形成第二隔离区，其中，第一、第二、第三、和第四隔离区在与图像传感器的主表面平行的平面图中的位置互相重合，第一、第二和第三隔离区位于光电二极管的周围并用于将光电二极管与相邻的半导体器件进行电隔离。本公开的图像传感器中的隔离结构易于实现且隔离效果好。

主权项

一种形成图像传感器的方法，其特征在于，包括：在半导体衬底中形成第四隔离区；在所述半导体衬底上通过外延生长形成第一半导体材料层，并通过所述第四隔离区的扩散形成第三隔离区；在所述第一半导体材料层中形成第一隔离区，所述第一隔离区位于所述第三隔离区之上；在所述第一半导体材料层上通过外延生长形成第二半导体材料层；以及在所述第二半导体材料层中形成第二隔离区，其中，所述第一、第二、第三、和第四隔离区在与所述图像传感器的主表面平行的平面图中的位置互相重合，所述第一、第二和第三隔离区位于光电二极管的周围并用于将所述光电二极管与相邻的半导体器件进行电隔离。