[发明专利]一种声表面波滤波器应用泛曝光的双层胶剥离工艺在审
| 申请号： | 201711232805.9 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108037637A | 公开（公告）日： | 2018-05-15 |
| 发明（设计）人： | 刘绍侃;张少华;李善斌;蒋燕港 | 申请（专利权）人： | 深圳华远微电科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/42 |
| 代理公司： | 广东深宏盾律师事务所 44364 | 代理人： | 徐文涛;李立秋 |
| 地址： | 518125 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及电学及纳米加工技术领域，一种声表面波滤波器应用泛曝光的双层胶剥离工艺，包括如下步骤：步骤1、清洗工艺：压电材料的表面清洗：步骤2、涂胶工艺：字压电材料表面涂抹粘度为49CPS的第一层正性光刻胶；步骤3、泛曝光处理：紫外光泛曝光对整枚晶片进行全部无掩膜版无差别充分曝光，照射涂好正性光刻胶的压电材料，光刻胶曝光完全，光刻胶发生反应；步骤4、二次涂胶工艺：在第一层正性光刻胶表面涂抹粘度为14CPS的第二层正性光刻胶；步骤5、光刻工艺：紫外线透过光刻版透光区照射压电材料，第二层正性光刻胶接触到紫外线的区域发生反应；步骤6、显影工艺；步骤7、镀膜工艺：选择合适的镀膜设备蒸发镀膜；步骤8、剥离工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面波 滤波器 应用 曝光 双层 剥离 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种声表面波滤波器应用泛曝光的双层胶剥离工艺，其特征在于：包括如下步骤：步骤1、清洗工艺：压电材料的表面清洗：步骤2、涂胶工艺：字压电材料表面涂抹粘度为49CPS的第一层正性光刻胶；步骤3、泛曝光处理：紫外光泛曝光对整枚晶片进行全部无掩膜版无差别充分曝光，照射涂好正性光刻胶的压电材料，光刻胶曝光完全，光刻胶发生反应；步骤4、二次涂胶工艺：在第一层正性光刻胶表面涂抹粘度为14CPS的第二层正性光刻胶；步骤5、光刻工艺：紫外线透过光刻版透光区照射压电材料，第二层正性光刻胶接触到紫外线的区域发生反应；步骤6、显影工艺：第二层正性光刻胶接触紫外线区域显影掉，未接触区域不反应，下方第一层正性光刻胶因已全部泛曝光，显影后开口大小明显大于上方第二层正性光刻胶，且下方存在侧向显影，形成类似传统双层胶的类“倒梯形”的结构形式；步骤7、镀膜工艺：选择合适的镀膜设备蒸发镀膜；步骤8、剥离工艺：将镀膜后的半成品浸泡酒精，20-30分钟即可剥离出平滑的金属指条。
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