[发明专利]一种无源下的变频混频器

摘要

本发明公开了一种无源下的变频混频器，其特征在于，包括依次连接的输入跨导模块、开关混频模块和互阻放大器输出模块，所述的输入跨导模块连接一射频信号源，所述的输入跨导模块用于将射频信号转化为射频电流；所述的开关混频模块，用于将射频电流下变频转换为中频电流。所述的互阻放大器输出模块，用于将中频电流在负载电阻上得到中频输出电压。发明的一种无源下的变频混频器具有功耗低、转换增益高、端口隔离度好的特点。

主权项

1.一种无源下的变频混频器，其特征在于，包括依次连接的输入跨导模块(Gm)、开关混频模块(2)和互阻放大器输出模块(3)，所述的输入跨导模块(Gm)连接一射频信号源，所述的输入跨导模块(Gm)用于将射频信号转化为射频电流；所述的输入跨导模块(Gm)分别连接射频信号源的RF_INP输出端和RF_INN输出端；所述的开关混频模块(2)，用于将射频电流下变频转换为中频电流；所述的开关混频模块(2)包括第一电容(C1)、第二电容(C2)、第一NMOS管(NM1)、第二NMOS管(NM2)、第三NMOS管(NM3)、第四NMOS管(NM4)，所述第一NMOS管(NM1)的栅极连接一第一本振信号(LO1)，所述第二NMOS管(NM2)的栅极连接一第二本振信号(LO2)，所述第三NMOS管(NM3)的栅极连接一第三本振信号(LO3)，所述第四NMOS管(NM4)的栅极连接一第四本振信号(LO4)，所述输入跨导模块(Gm)的正输出端通过第一电容(C1)后分别连接第一NMOS管(NM1)的源极和第二NMOS管(NM2)的源极，所述输入跨导模块(Gm)的负输出端通过第二电容(C2)后分别连接第三NMOS管(NM3)的源极和第四NMOS管(NM4)的源极，所述第一NMOS管(NM1)的漏极与第三NMOS管(NM3)的漏极并联后与互阻放大器输出模块(3)的正输入端连接，第二NMOS管(NM2)的漏极与第四NMOS管(NM4)的漏极并联后与互阻放大器输出模块(3)的负输入端连接；所述的互阻放大器输出模块(3)，用于将中频电流在负载电阻上得到中频输出电压；所述的互阻放大器输出模块(3)包括第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)、第三MOS管(M3)、第四MOS管(M4)、第五MOS管(M5)、第六MOS管(M6)、第七MOS管(M7)、第八MOS管(M8)、第九MOS管(M9)、第十MOS管(M10)、第十一MOS管(M11)、第十二MOS管(M12)、第十三MOS管(M13)、第十四MOS管(M14)、第十五MOS管(M15)、第十六MOS管(M16)、第十七MOS管(M17)，所述第一MOS管(M1)的源极、第二MOS管(M2)的源极、第六MOS管(M6)的源极、第七MOS管(M7)的源极、第十二MOS管(M12)的源极、第十三MOS管(M13)的源极以及第十七MOS管(M17)的源极均接地，所述第四MOS管(M4)的源极、第九MOS管(M9)的源极、第十MOS管(M10)的源极、第十五MOS管(M15)的源极、第五MOS管(M5)的漏极以及第十四MOS管(M14)的漏极均连接一工作电压(VDD)；所述第二MOS管(M2)的漏极连接一混频器开关差分电流的I_INP输出端，所述第十七MOS管(M17)的漏极连接混频器开关差分电流的I_INN输出端；所述第一MOS管(M1)的栅极和漏极互连，所述第一MOS管(M1)的漏极还连接一电流源，所述第一MOS管(M1)的栅极与第三MOS管(M3)的栅极、第十三MOS管(M13)的栅极互连，所述第六MOS管(M6)的漏极和第十三MOS管(M13)的漏极输出稳定电流；所述第二MOS管(M2)的漏极连接第三MOS管(M3)的源极，所述第三MOS管(M3)的源极与第四MOS管(M4)的栅极互连，所述第二MOS管(M2)的栅极、第七MOS管(M7)的栅极均与第六MOS管(M6)的漏极、第三MOS管(M3)的源极互连，所述的第二MOS管(M2)至第七MOS管(M7)组成镜像电流输出对管；所述第七MOS管(M7)的漏极连接第八MOS管(M8)的源极，所述第八MOS管(M8)的栅极和第三MOS管(M3)互连，所述第九MOS管(M9)的漏极和第八MOS管(M8)的漏极连接。