[发明专利]外延衬底的制造方法有效
| 申请号： | 201711235300.8 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108122740B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 渡边整;松田一 | 申请（专利权）人： | 住友电工光电子器件创新株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 常海涛;高钊 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明披露了一种形成包括氮化物半导体层的外延衬底的方法。该方法包括以下步骤：(a)在衬底上生长成核层，以及(b)在成核层上生长氮化物半导体层。步骤(a)中分别在衬底的源气体流的上游侧和下游侧设置第一生长温度和第二生长温度，其中上游侧的第一温度比下游侧的第二温度低至少5℃且至多10℃，第二温度高于1100℃。本发明的方法降低了泄漏电流在衬底内的分散。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 衬底 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种形成包括氮化物半导体层的外延衬底的方法，所述方法包括以下步骤：使用III族元素和氮(N)的源气体，利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在衬底上生长成核层，所述成核层包含氮化物半导体材料，该氮化物半导体材料含有作为所述III族元素的铝(Al)、以及氮(N)；利用MOCVD技术在所述成核层上生长氮化物半导体层；其中，在所述成核层的生长步骤中，在所述衬底的相对于所述源气体流的上游侧设置第一生长温度，并且在所述衬底的相对于所述源气体流的下游侧设置第二生长温度，并且其中，所述第一生长温度低于所述第二生长温度，并且所述第二生长温度高于1100℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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