[发明专利]多沟道的横向高压器件有效
| 申请号： | 201711235719.3 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN107978632B | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 周锌;袁章亦安;李珂;乔明 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢;葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多沟道的横向高压器件，其元胞结构集成在第一导电类型半导体衬底上，包括埋氧层、第二导电类型半导体漂移区、槽结构，第一导电类型半导体体区、第二导电类型半导体源区、第一导电类型半导体接触区三者形成一个体区单元，器件包括至少一个体区单元，在槽结构中设有多栅极金属结构，多栅极金属结构包括至少两个金属栅极，多栅极金属结构在第一导电类型半导体体区内部提供了至少两个沟道，给载流子提供了低阻通道，本发明采用槽多栅的结构增加了沟道数目，增加了器件的导电通路，极大地降低了器件的导通电阻，缓解比导通电阻和耐压的矛盾关系，在相同芯片面积的情况下具有更小的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 横向 高压 器件 | ||
【主权项】：
一种多沟道的横向高压器件，其元胞结构集成在第一导电类型半导体衬底(1)上，包括设置在衬底上端面的埋氧层(2)、设置在埋氧层(2)上方的第二导电类型半导体漂移区(3)、设置在第二导电类型半导体漂移区(3)左侧外部的槽结构(4)、在第二导电类型半导体漂移区(3)内部右侧的第二导电类型半导体漏区(7)、第二导电类型半导体漂移区(3)内部紧邻槽结构(4)右侧的第一导电类型半导体体区(5)、位于第一导电类型半导体体区(5)内部紧邻槽结构(4)右侧的第二导电类型半导体源区(8)和第一导电类型半导体接触区(9)，所述第一导电类型半导体体区(5)、第二导电类型半导体源区(8)、第一导电类型半导体接触区(9)三者形成一个体区单元，所述器件包括至少一个体区单元，相邻的体区单元之间设有间隙，每个体区单元中第一导电类型半导体接触区(9)位于两个第二导电类型半导体源区(8)之间，其特征在于：在槽结构(4)中设有多栅极金属结构(10)，所述多栅极金属结构(10)包括至少两个从器件表面引至槽结构(4)内的金属栅极，每个金属栅极的最右端与槽结构(4)右端的间距为栅氧厚度，金属栅极的最右端覆盖第一导电类型半导体体区(5)内部第二导电类型半导体源区(8)两侧的区域，在第二导电类型半导体漏区(7)上方设有漏极金属(11)，源极金属(12)从器件表面引至每个体区单元内的两个第二导电类型半导体源区(8)的左侧并覆盖第一导电类型半导体接触区(9)的左侧，源极金属(12)和相邻的金属栅极之间不接触，多栅极金属结构(10)在第一导电类型半导体体区(5)内部提供了至少两个沟道，给载流子提供了低阻通道。
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