[发明专利]光传感器在审
| 申请号： | 201711237185.8 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108735852A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 石川弘树 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L31/12 | 分类号： | H01L31/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 殷明;俞丹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能够实现小型化的光传感器。光传感器(1)包括基板(2)、发光元件(3)、光接收元件(4)、电气元器件(9)。发光元件(3)安装于基板(2)的表面(2A)。光接收元件(4)被安装于基板(2)的表面(2A)的不同于发光元件(3)的位置。电气元器件(9)安装于基板(2)的背面(2B)。电气元器件(9)与发光元件(3)和光接收元件(4)电连接。电气元器件(9)被配置在与发光元件(3)和光接收元件(4)重合的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 发光元件 电气元器件 光接收元件 基板 光传感器 电连接 重合 背面 配置 | ||
【主权项】：
1.一种光传感器，其特征在于，包括：基板；安装于所述基板的表面的发光元件；安装于所述基板的表面的光接收元件；以及安装于所述基板的背面且与所述发光元件和所述光接收元件电连接的电气元器件，所述电气元器件配置在与所述发光元件和所述光接收元件重合的位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
