[发明专利]快速热处理装置及方法有效
申请号: | 201711237366.0 | 申请日: | 2017-11-30 |
公开(公告)号: | CN109860071B | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
发明(设计)人: | 赵向阳;孙瑞 | 申请(专利权)人: | 上海新昇半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/324 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201306 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种快速热处理装置及方法,快速热处理装置包括:退火装置,包括退火室及加热装置,加热装置位于退火室内部或外围;冷却装置,位于退火室一侧;冷却装置包括冷却室及冷却系统,冷却系统位于所述冷却室外围;阻挡块,位于退火室与冷却室之间,阻挡块内形成有通孔;支撑垫,用于放置晶圆;第一挡板,位于冷却室内;第二挡板,位于退火室内;非接触式测温装置,位于第一挡板上;驱动装置,位于支撑垫的下方。本发明可以由位于支撑垫一端的第一挡板或第二挡板相隔离,可以有效避免对晶圆造成污染,可以在退火后快速将晶圆降至室温,有效避免thermal donor的再次产生。 | ||
搜索关键词: | 快速 热处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种快速热处理装置,其特征在于,所述快速热处理装置包括:退火装置,所述退火装置包括退火室及加热装置,所述加热装置位于所述退火室内部或外围,用于为所述退火室内部进行加热,以对晶圆进行退火处理;冷却装置,位于所述退火室一侧;所述冷却装置包括冷却室及冷却系统,所述冷却系统位于所述冷却室外围,用于为所述冷却室内部进行快速降温,以将退火处理后的所述晶圆进行快速冷却;阻挡块,位于所述退火室与所述冷却室之间,所述阻挡块内形成有通孔,所述通孔将所述冷却室内部与所述退火室内部相连通;支撑垫,用于放置所述晶圆,所述支撑垫沿垂直于所述通孔方向的尺寸小于或等于所述退火室沿垂直于所述通孔方向的尺寸;第一挡板,位于所述冷却室内,且固定于所述支撑垫远离所述退火室的一端;所述第一挡板在所述通孔所在平面的投影完全覆盖所述通孔;第二挡板,位于所述退火室内,且固定于所述支撑垫远离所述冷却室的一端;所述第二挡板在所述通孔所在平面的投影完全覆盖所述通孔;非接触式测温装置,位于所述第一挡板上,用于实时侦测所述晶圆的温度;驱动装置,位于所述支撑垫的下方,且与所述第一挡板、所述第二挡板及所述支撑垫三者中的至少一者相连接,用于驱动所述支撑垫在所述冷却室及所述退火室之间运动,以将所述晶圆传送至所述退火室内进行退火处理,及将退火处理后的所述晶圆传送至所述冷却室内进行快速冷却。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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