[发明专利]改善闪存中高压器件栅极氧化层可靠性的工艺集成方法

摘要

本发明公开了一种改善闪存中高压器件栅极氧化层可靠性的工艺集成方法，包括步骤：步骤一、提供一半导体衬底并形成场氧；步骤二、形成衬垫氧化层；步骤三、进行高压器件的阱区的离子注入；步骤四、进行各闪存单元的阈值电压调整离子注入；步骤五、同时去除闪存单元区和高压器件区的衬垫氧化层；步骤六、同时在闪存单元区和高压器件区的半导体衬底表面形成闪存单元的所需的隧穿氧化层；步骤七、形成第一层多晶硅和ONO层；步骤八、刻蚀形成闪存单元的栅极结构所需的浮栅多晶硅层和ONO层。本发明能减少高压器件栅极氧化层的损伤，改善高压器件栅极氧化层的可靠性，并进而提高高压器件的可靠性。

主权项

1.一种改善闪存中高压器件栅极氧化层可靠性的工艺集成方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成场氧并由所述场氧隔离出有源区；闪存包括集成在同一芯片上的高压器件区和闪存单元区；所述高压器件区的高压器件为所述闪存单元区的闪存单元的擦除和编程所需的电压；步骤二、在所述半导体衬底表面形成衬垫氧化层；步骤三、进行所述高压器件的阱区的离子注入，所述高压器件的阱区的离子注入穿过所述衬垫氧化层并会对所述衬垫氧化层带来损伤；步骤四、进行各所述闪存单元的阈值电压调整离子注入；步骤五、同时去除所述闪存单元区和所述高压器件区的所述衬垫氧化层，通过去除所述高压器件区域的所述衬垫氧化层防止具有损伤的所述衬垫氧化层给所述高压器件的可靠性带来影响；步骤六、形成所述闪存单元的所需的隧穿氧化层，所述隧穿氧化层同时形成于所述闪存单元区和所述高压器件区的所述半导体衬底表面；步骤七、在所述隧穿氧化层表面形成第一层多晶硅和ONO层；步骤八、采用光刻工艺对刻蚀区域进行选定，依次对所述ONO层和所述第一层多晶硅进行刻蚀形成所述闪存单元的栅极结构所需的浮栅多晶硅层和所述ONO层，所述浮栅多晶硅层由刻蚀后的所述第一层多晶硅组成；所述高压器件区的所述ONO层和所述第一层多晶硅都被去除而将所述隧穿氧化层表面露出，以所述隧穿氧化层作为所述高压器件的栅极氧化层，利用所述隧穿氧化层没有受到步骤三的离子注入损伤的提高所述高压器件的可靠性。