[发明专利]高导电性硫化镉靶材及其制备方法有效
| 申请号： | 201711237510.0 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108002838B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 王波;朱刘;张佳 | 申请（专利权）人： | 先导薄膜材料（广东）有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/547 | 分类号： | C04B35/547;C04B35/622;C04B35/64;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 | 代理人： | 张向琨;高虹 |
| 地址： | 511517 广东省清远市高新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种高导电性硫化镉靶材及其制备方法。所述高导电性硫化镉靶材由硫化镉以及无水硫酸镉组成，所述无水硫酸镉的含量为50ppm～10000ppm。本申请通过向硫化镉粉体中掺入无水硫酸镉可以明显提高硫化镉靶材的导电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 导电性 硫化 镉靶材 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高导电性硫化镉靶材，其特征在于，包括硫化镉以及无水硫酸镉，所述无水硫酸镉的含量为50ppm～10000ppm。
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